Número de Producto del Fabricante:
TSM230N06CI C0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM230N06CI C0G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 50A ITO220
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 42W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventario:
12895215
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ENVIAR
TSM230N06CI C0G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
23mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1680 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
TSM230N06CIC0G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK8R2A06PL,S4X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
TK8R2A06PL,S4X-DG
PRECIO UNITARIO
0.34
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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